在9月24—26日舉行的上海PCIM Asia 2025電子展上，成都高新發展股份有限公司（以下簡稱高新發展）攜下屬公司森未科技、芯未半導體參展，向市場客戶全面展示了其在功率半導體芯片設計、特色制造工藝及應用驗證等方面的全鏈條技術能力。
森未科技高功率密度產品獲關注
作為國家高新技術企業，森未科技攜自主研發的高功率密度IGBT/SiC系列產品及解決方案亮相，充分展現了在功率半導體領域的研發實力。
此次參展的新產品具備高性能、低功耗與高可靠性等特點，可廣泛應用于工控、光伏儲能、新能源汽車及特種電源等領域，為行業升級提供關鍵支撐。期間，憑借高電流密度、低開關損耗等優勢，以及完整的產品系列，森未科技產品吸引了眾多海內外客戶與專家駐足交流，技術團隊則從技術演進、產品特性、場景應用到落地實施進行了深入講解，為后續合作奠定良好基礎。
值得一提的是，在展會同期舉辦的國際研討會上，森未科技發表題為《Superjunction MOSFET with a Trench Contact and Embedded SiO2 Insulator for Excellent Reverse Recovery》（采用溝槽接觸和嵌入二氧化硅絕緣層的超結MOSFET具備卓越反向恢復特性）的研究報告。該研究報告創新性顯著、實用性強，引發現場熱烈討論。
隨著半導體技術持續迭代，功率器件正朝著更高電壓、更高功率密度方向發展。而森未科技通過持續研發投入及與多家科研院所共建聯合實驗室，不斷突破技術瓶頸，現已成功開發出電壓等級覆蓋650V-1700V、電流等級覆蓋10A-900A的IGBT/SiC系列產品百余款，展現出扎實的研發積累與產品化能力。未來，森未科技將緊跟趨勢，積極推進第八代IGBT及SiC產品研發。
芯未半導體展示一站式代工與中試平臺實力
作為成都首個功率半導體代工平臺和規模最大的功率半導體中試平臺，芯未半導體重點展示了“晶圓背面加工—封裝測試—集成組件”的一站式解決方案，成為展會中國產代工力量的焦點。
展會期間，芯未半導體技術團隊通過動態實物演示，詳細講解了“從樣品到量產”的全流程服務，展現了其在縮短研發周期、降低試錯成本方面的核心價值，特別是8英寸超薄IGBT晶圓背面加工平臺和高壓大功率模塊高可靠封裝制造平臺，吸引了眾多芯片設計企業及科研機構的廣泛關注。
未來，高新發展將繼續致力于功率半導體國產化替代，突破關鍵核心技術，加速推進具有國際競爭力的技術研發，以科技創新培育新質生產力，為行業高質量發展注入持續動力。